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晶体管
IPP65R190C6XKSA1参考图片

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IPP65R190C6XKSA1

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库存:9,458(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.052
23.052
10
¥19.5942
195.942
100
¥16.9839
1698.39
250
¥16.1364
4034.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
20.2 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
73 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
133 ns
零件号别名
IPP65R190C6 IPP65R19C6XK SP000849360
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP65R190C6XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
2,500:¥0.41471
8,000:¥0.35369
参考库存:35031
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,000:¥2.4634
参考库存:44413
晶体管
MOSFET MOSFET_(75V,120V(
1:¥36.273
10:¥30.8151
100:¥26.7358
250:¥25.3572
2,000:¥18.2156
4,000:查看
参考库存:14130
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF4/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥10,051.0562
5:¥9,943.096
参考库存:4427
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥1.5368
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:51234
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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