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晶体管
BFU530WX参考图片

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BFU530WX

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
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数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥2.9945
29.945
100
¥1.6159
161.59
1,000
¥1.2317
1231.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
10 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
2 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
输出功率
10 dBm
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
11 GHz
最大直流电集电极电流
65 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067694115
单位重量
5.569 mg
商品其它信息
优势价格,BFU530WX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥15.7522
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.2999
2,500:¥7.2207
5,000:查看
参考库存:114564
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
1:¥37.5725
10:¥31.9677
25:¥31.3462
100:¥27.6624
参考库存:6506
晶体管
MOSFET PT3 75V
1:¥24.4306
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
参考库存:8643
晶体管
IGBT 晶体管 600V DC-1kHz
1:¥13.447
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥7.9891
1,000:¥6.667
2,000:¥6.667
参考库存:32160
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 17A STripFET V Power
1:¥7.9891
10:¥6.7574
100:¥5.198
500:¥4.5878
3,000:¥3.2092
9,000:查看
参考库存:4867
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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