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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	100 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	EMT-3F-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	-
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	-
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTA015EEB
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	-
输出电压	- 0.07 V
商标	ROHM Semiconductor
最大直流电集电极电流	- 100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	DTA015EEB
单位重量	30 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRFS7437TRL7PP	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V 195A 1.5mOhm 150nC StrongIRFET	1:¥16.9048 10:¥14.3736 100:¥11.526 500:¥10.0683 800:¥8.2942	参考库存:15556
SI4559ADY-T1-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR	1:¥12.2153 10:¥10.0683 100:¥7.684 500:¥6.6105 1,000:¥5.2206 2,500:¥5.2206	参考库存:45753
BSC900N20NS3 G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3	1:¥11.8311 10:¥10.0683 100:¥8.0682 500:¥7.0625 5,000:¥5.2432 10,000:查看	参考库存:26655
IPD031N06L3GATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3	1:¥17.515 10:¥14.8256 100:¥11.9102 500:¥10.3734 2,500:¥7.9891 5,000:查看	参考库存:27327
ZXT13N50DE6TA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V Low Sat	1:¥5.1528 10:¥4.2827 100:¥2.7685 1,000:¥2.2148 3,000:¥2.2148	参考库存:139849