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晶体管
BSC900N20NS3 G参考图片

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BSC900N20NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:26,655(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
5,000
¥5.2432
26216
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
15.2 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
BSC900N20NS3GATMA1 BSC9N2NS3GXT SP000781780
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSC900N20NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V, 195A, 1.25 mOhm 180 nC Qg, Logic Lvl
1:¥21.8203
10:¥18.5998
100:¥16.0573
250:¥15.2889
参考库存:11295
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥9.1417
10:¥7.8422
100:¥6.0342
500:¥5.3449
2,500:¥3.729
10,000:查看
参考库存:123877
晶体管
MOSFET 30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥11.9102
10:¥9.831
100:¥7.571
500:¥6.5088
1,000:¥5.1415
3,000:¥5.1415
参考库存:32079
晶体管
MOSFET
1:¥6.6896
10:¥5.7404
100:¥4.407
500:¥3.8985
1,000:¥3.0736
4,000:¥3.0736
参考库存:24011
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTD123YQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.73789
1,000:¥0.49946
5,000:¥0.39211
参考库存:52188
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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