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晶体管
BSC042NE7NS3GATMA1参考图片

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BSC042NE7NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥18.4416
18.4416
10
¥15.6731
156.731
100
¥12.5204
1252.04
500
¥10.9836
5491.8
1,000
¥9.0626
9062.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
69 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
44 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
BSC042NE7NS3 BSC42NE7NS3GXT G SP000657440
单位重量
121.700 mg
商品其它信息
优势价格，BSC042NE7NS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FP35R12KT4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥638.0771
5:¥626.4042
10:¥598.1994
25:¥578.3001
参考库存:3797
RF4E070GNTR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥3.7629
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:14474
MUN2237T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.3108
10:¥1.12209
100:¥0.40002
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:154926
APT100GT120JU2
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥388.8895
5:¥375.8267
10:¥363.6114
25:¥336.2541
参考库存:3933
FGP5N60LS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 600V/5A Field Stop Low Vcesat
1:¥11.2209
10:¥9.605
100:¥7.3902
500:¥6.5314
参考库存:6865

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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