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晶体管
STGW30H65FB参考图片

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STGW30H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
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数量单价合计
1
¥24.973
24.973
10
¥21.2101
212.101
100
¥18.3625
1836.25
250
¥17.4472
4361.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW30H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW30H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.13
100:¥0.47686
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:204190
晶体管
MOSFET 40 Volt N-Channel
1:¥5.3788
10:¥4.6556
100:¥2.5086
1,000:¥1.8758
5,000:¥1.7628
10,000:¥1.695
参考库存:153532
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.0736
10:¥2.6103
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
2,000:¥1.05316
10,000:¥1.03734
参考库存:4424
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥9.0626
10:¥7.458
100:¥5.7291
3,000:¥5.7291
参考库存:19121
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 long leads package
1:¥67.6983
10:¥61.1669
25:¥58.3193
100:¥50.6353
参考库存:5348
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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