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晶体管
NVD5807NT4G-VF01参考图片

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NVD5807NT4G-VF01

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET DPAK 40V 23A 31MOHM
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库存:18,680(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.0906
40.906
100
¥2.4973
249.73
1,000
¥1.9323
1932.3
2,500
¥1.6498
4124.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
31 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
8.1 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20.4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.6 ns
典型接通延迟时间
6.7 ns
商品其它信息
优势价格,NVD5807NT4G-VF01的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥24.747
10:¥21.0519
100:¥18.2834
250:¥17.289
800:¥13.1419
2,400:查看
参考库存:11209
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥12.7577
10:¥10.5994
100:¥8.2264
500:¥7.1981
1,000:¥5.9664
3,000:¥5.9664
参考库存:82781
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
1:¥3.3787
10:¥2.4973
100:¥1.5707
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:32298
晶体管
MOSFET 20V N-Channel Trench MOSFET
1:¥2.7685
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:186640
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTB123EQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.73789
1,000:¥0.49946
5,000:¥0.39211
参考库存:28507
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 降低成本

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