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晶体管
SSM6N357R,LF参考图片

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SSM6N357R,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
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库存:32,298(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.4973
24.973
100
¥1.5707
157.07
1,000
¥1.1865
1186.5
3,000
¥1.00683
3020.49
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6F
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
650 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SSM6N357R
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
500 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
3000 ns
典型接通延迟时间
990 ns
单位重量
16 mg
商品其它信息
优势价格,SSM6N357R,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
1:¥30.3518
10:¥25.8205
100:¥22.3627
250:¥21.2101
2,500:¥15.2889
5,000:查看
参考库存:14488
晶体管
MOSFET Pch -60V -14A TO-252(DPAK)
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.4749
500:¥5.7291
2,500:¥5.7291
参考库存:32400
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR PNP
1:¥3.7629
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.60681
参考库存:21132
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40Vceo PNP -2A Ic 730mW -225mV 90mOhm
1:¥2.9154
10:¥2.1809
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
9,000:¥0.71416
参考库存:16049
晶体管
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
1:¥8.5315
10:¥7.2885
100:¥5.6048
500:¥4.9494
1,000:¥3.9098
2,000:¥3.9098
参考库存:184496
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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