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晶体管
DMN3007LSS-13参考图片

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DMN3007LSS-13

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库存:26,028(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥3.2996
32.996
100
¥2.0114
201.14
1,000
¥1.5481
1548.1
2,500
¥1.3334
3333.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
5.3 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN3007
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.1 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
43.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85.1 ns
典型接通延迟时间
10.3 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格,DMN3007LSS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥2.9154
10:¥2.2374
100:¥1.2091
1,000:¥0.91417
参考库存:33972
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
1:¥27.5042
10:¥23.3571
100:¥20.2835
250:¥19.21
参考库存:34474
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
1,000:¥7.7631
参考库存:9029
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Voltage Transistor SOT89 T&R 1K
1:¥4.4522
10:¥3.7064
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
参考库存:14031
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥3.616
10:¥2.9832
100:¥1.8193
1,000:¥1.4012
2,500:¥1.1978
参考库存:15783
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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