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晶体管
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FDA18N50

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库存:3,844(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.357
21.357
10
¥18.1365
181.365
100
¥14.5205
1452.05
500
¥12.7577
6378.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
19 A
Rds On-漏源导通电阻
265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
239 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FDA18N50
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
90 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
165 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
95 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FDA18N50的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥5.537
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
3,000:¥2.3617
参考库存:28312
晶体管
MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
1:¥3.2318
10:¥2.1018
100:¥0.89948
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.52997
参考库存:39604
晶体管
MOSFET SINGLE P-CHANNEL
1:¥2.9154
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:160331
晶体管
MOSFET N-CH 900V HEXFET MOSFET
1:¥28.0466
10:¥23.2102
100:¥19.1309
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:11923
晶体管
MOSFET 100V N-Channel Pwr Trench
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.6049
500:¥6.7235
800:¥5.2997
参考库存:15140
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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