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晶体管
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QSX1TR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR NPN Vce 12V 6A
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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.7177
37.177
100
¥2.3956
239.56
1,000
¥1.921
1921
3,000
¥1.6159
4847.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
集电极—基极电压 VCBO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
6 A
增益带宽产品fT
250 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
QSX1
直流电流增益 hFE 最大值
270 at 500 mA, 2 V
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
270
Pd-功率耗散
1250 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
QSX1
商品其它信息
优势价格，QSX1TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD88539ND
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.6048
100:¥4.3166
500:¥3.8081
2,500:¥2.6781
10,000:查看
参考库存:140195
VRF151MP
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥745.8904
2:¥722.7593
5:¥722.522
10:¥699.244
参考库存:1637
2N2904
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W
1:¥17.063
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.5994
参考库存:2604
IPB60R299CPA
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CPA
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
1,000:¥10.7576
2,000:查看
参考库存:6536
2N6661
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 90V 4Ohm
1:¥87.5976
10:¥86.3659
25:¥80.2978
100:¥72.772
参考库存:5663

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