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晶体管
IPP80N03S4L03AKSA1参考图片

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IPP80N03S4L03AKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
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库存:5,055(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.4354
3717.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
140 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
XPP80N03
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPP80N03S4L-03 IPP8N3S4L3XK SP000275328
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP80N03S4L03AKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 350V 40W PNP
1:¥8.2264
10:¥7.006
100:¥5.3901
500:¥4.7573
1,000:¥3.7629
参考库存:8959
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module
1:¥1,102.3489
5:¥1,080.6755
10:¥1,030.2662
25:¥1,008.751
参考库存:4541
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VSAT PNP SMT 3K
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:28178
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥3.4578
10:¥1.9436
100:¥1.03734
500:¥0.86784
3,000:¥0.48364
9,000:查看
参考库存:78185
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 150V 200W NPN
1:¥93.0555
10:¥85.5975
20:¥82.0606
100:¥72.3087
参考库存:4987
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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