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晶体管
CSD18510KTTT参考图片

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CSD18510KTTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
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库存:6,928(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.0574
18.0574
10
¥15.368
153.68
50
¥15.368
768.4
100
¥12.2153
1221.53
500
¥10.6785
5339.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
153 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
CSD18510KTT
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
330 S
下降时间
8 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,CSD18510KTTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V, 195A, 1.25 mOhm 180 nC Qg, Logic Lvl
1:¥21.8203
10:¥18.5998
100:¥16.0573
250:¥15.2889
参考库存:11295
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥9.1417
10:¥7.8422
100:¥6.0342
500:¥5.3449
2,500:¥3.729
10,000:查看
参考库存:123877
晶体管
MOSFET 30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥11.9102
10:¥9.831
100:¥7.571
500:¥6.5088
1,000:¥5.1415
3,000:¥5.1415
参考库存:32079
晶体管
MOSFET
1:¥6.6896
10:¥5.7404
100:¥4.407
500:¥3.8985
1,000:¥3.0736
4,000:¥3.0736
参考库存:24011
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTD123YQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.73789
1,000:¥0.49946
5,000:¥0.39211
参考库存:52188
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    50万现货SKU

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