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晶体管
STH265N6F6-2AG参考图片

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STH265N6F6-2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 1.6 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package
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库存：5,824(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.4362
23.4362
10
¥19.8993
198.993
100
¥17.289
1728.9
250
¥16.3624
4090.6
1,000
¥12.3735
12373.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
183 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STH265N6F6-2AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
63 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
165 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
144 ns
典型接通延迟时间
31 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STH265N6F6-2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C450NAFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1:¥7.3789
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.2827
1,500:¥2.9945
9,000:查看
参考库存:11040
SUM90142E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263
1:¥25.2781
10:¥20.905
100:¥17.2099
250:¥16.6788
参考库存:9597
MSB30M-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bridge Rectifier
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.8419
参考库存:12334
FDMC8010ET30
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET FET 30V 1.3 MOHM PQFN33
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
3,000:¥6.0116
6,000:查看
参考库存:44726
STD4LN80K5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥9.6841
10:¥8.2264
100:¥6.3619
500:¥5.6274
1,000:¥4.4409
2,500:¥3.9437
参考库存:15233

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    50万现货SKU

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