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晶体管
BFU530XRR参考图片

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BFU530XRR

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.6103
26.103
100
¥1.6159
161.59
1,000
¥1.2317
1231.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
10 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT143B-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
11 GHz
最大直流电集电极电流
65 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067712215
单位重量
8.810 mg
商品其它信息
优势价格,BFU530XRR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
3,000:¥8.2942
6,000:查看
参考库存:29406
晶体管
MOSFET 12V 29A 5.4W 2.6mohm @ 4.5V
1:¥26.894
10:¥22.2836
100:¥18.2834
250:¥17.7523
500:¥15.9104
3,000:¥15.9104
参考库存:18188
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.5313
10:¥3.7742
100:¥2.3052
1,000:¥1.7854
2,500:¥1.5255
参考库存:15690
晶体管
MOSFET N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon Carbide
1:¥47.3357
10:¥40.2619
100:¥34.8831
250:¥33.1203
400:¥29.6625
参考库存:18612
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43MOHM
1:¥4.9946
10:¥4.2036
100:¥2.712
1,000:¥2.1696
2,500:¥1.8306
参考库存:15644
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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