BSS169H6327XT详细信息_BSS169H6327XT相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PG-SOT-23-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Id-连续漏极电流	90 mA
Rds On-漏源导通电阻	6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压	2.9 V
Vgs - 栅极-源极电压	10 V
Qg-栅极电荷	2.1 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	360 mW
配置	Single
通道模式	Depletion
资格	AEC-Q101
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.1 mm
长度	2.9 mm
产品	MOSFET Small Signal
系列	BSS169
晶体管类型	1 N-Channel
类型	SIPMOS Small Signal Transistor
宽度	1.3 mm
商标	Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值	0.1 S
下降时间	27 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	2.7 ns
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	11 ns
典型接通延迟时间	2.9 ns
零件号别名	BSS169 BSS169H6327XTSA1 H6327 SP000702572
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RSE002N06TL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A	1:¥2.8476 10:¥1.808 100:¥0.77631 1,000:¥0.5989 3,000:¥0.45313	参考库存:38291
STD30NF04LT	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET POWER MOSFET	1:¥11.9102 10:¥10.1474 100:¥8.0682 500:¥7.0625 2,500:¥5.4466 5,000:查看	参考库存:15268
BUK9Y25-80E,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 80 V 27 mo FET	1:¥5.537 10:¥4.5765 100:¥2.9493 1,000:¥2.3617 1,500:¥2.0001	参考库存:150880
STH175N4F6-2AG	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package	1:¥13.8312 10:¥11.752 100:¥9.379 500:¥8.2264 1,000:¥6.8252	参考库存:7497
STH290N4F6-6AG	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.3 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package	1:¥27.1991 10:¥23.1311 100:¥20.0575 250:¥19.0518 1,000:¥14.3736 2,000:查看	参考库存:5274