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晶体管
APT45GP120J参考图片

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APT45GP120J

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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数量单价合计
1
¥286.455
286.455
2
¥278.6241
557.2482
5
¥270.9401
1354.7005
10
¥263.177
2631.77
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
SOT-227-4
安装风格
Chassis Mount
配置
N-Channel
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
34 A
Pd-功率耗散
329 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
75 A
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT45GP120J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
1:¥30.3518
10:¥25.8205
100:¥22.3627
250:¥21.2101
2,500:¥15.2889
5,000:查看
参考库存:14488
晶体管
MOSFET Pch -60V -14A TO-252(DPAK)
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.4749
500:¥5.7291
2,500:¥5.7291
参考库存:32400
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR PNP
1:¥3.7629
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.60681
参考库存:21132
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40Vceo PNP -2A Ic 730mW -225mV 90mOhm
1:¥2.9154
10:¥2.1809
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
9,000:¥0.71416
参考库存:16049
晶体管
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
1:¥8.5315
10:¥7.2885
100:¥5.6048
500:¥4.9494
1,000:¥3.9098
2,000:¥3.9098
参考库存:184496
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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