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晶体管
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2N6491G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 80V 75W PNP
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数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.65
56.5
100
¥4.3392
433.92
500
¥3.8307
1915.35
1,000
¥3.0284
3028.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
90 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
3.5 V
最大直流电集电极电流
15 A
增益带宽产品fT
5 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6491
高度
15.75 mm
长度
10.53 mm
封装
Tube
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
Pd-功率耗散
75 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，2N6491G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NGTB15N60R2FG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 RC2 IGBT 15A 600V
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:7320
MRFE6VP61K25HR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,330.9479
5:¥1,298.9011
10:¥1,266.7074
25:¥1,248.9551
50:¥1,248.9551
参考库存:4982
FDV301N
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET N-Ch Digital
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:12992294
C2M0045170D
Wolfspeed / Cree
晶体管
MOSFET SiC Power MOSFET 1700V, 72A
1:¥670.0448
100:¥644.3034
参考库存:8666
DMP3017SFGQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh FET 30Vgss -80A Idm
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,000:¥2.7007
参考库存:110113

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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