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晶体管
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FDD4N60NZ

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数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3901
53.901
100
¥3.4804
348.04
1,000
¥2.7798
2779.8
2,500
¥2.3391
5847.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
1.7 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
8.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
114 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UniFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
产品
MOSFET
系列
FDD4N60NZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
3.4 S
下降时间
12.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30.2 ns
典型接通延迟时间
12.7 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FDD4N60NZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥0.66105
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1:¥7.6049
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100:¥3.7968
1,000:¥3.0397
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1:¥12.4526
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0286
参考库存:4846
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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