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晶体管
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IRFBC30PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
3.6 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
74 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
IRFBC
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT10M19SVRG
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100:¥15.142
500:¥13.2888
参考库存:1791

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    50万现货SKU

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