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晶体管
KSB1366GTU参考图片

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KSB1366GTU

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库存:9,919(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.4127
54.127
100
¥4.1697
416.97
500
¥3.6838
1841.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220F-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
集电极—基极电压 VCBO
- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 7 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
9 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSB1366
直流电流增益 hFE 最大值
320
高度
9.19 mm
长度
10.16 mm
封装
Tube
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 3 A
Pd-功率耗散
25 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格,KSB1366GTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:38239
晶体管
MOSFET NFET SO8 30V 11A NCH 0.030R
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,500:¥1.6724
参考库存:23971
晶体管
MOSFET 12 V, N-channel Trench MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
5,000:¥0.66105
参考库存:42283
晶体管
MOSFET 30V 3.2A 0.07Ohm
1:¥5.0737
10:¥3.8872
100:¥2.8928
500:¥2.373
3,000:¥1.6724
6,000:查看
参考库存:23120
晶体管
MOSFET 20V Dual N-Ch ENH 20V 25mOhm 4.5V 5.8A
1:¥3.842
10:¥2.9832
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
2,500:¥1.04525
10,000:¥0.97632
参考库存:18032
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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