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晶体管
TK3R1A04PL,S4X参考图片

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TK3R1A04PL,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W
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库存:3,228(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.447
13.447
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.5597
3779.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
82 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
63.4 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
36 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
83 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,TK3R1A04PL,S4X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 100V 30W NPN
1:¥7.9891
10:¥6.8026
100:¥5.2319
500:¥4.6217
参考库存:9772
晶体管
MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.1642
参考库存:8644
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.8364
10:¥3.9889
100:¥2.4295
1,000:¥1.8871
2,500:¥1.6046
参考库存:10326
晶体管
MOSFET NFET 30V .56A 1500M
1:¥2.8476
10:¥1.8871
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
10,000:¥0.42262
20,000:查看
参考库存:33325
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW-SATURATION VOLTAGE
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:16988
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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