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产品分类

晶体管
FS75R07W2E3_B11A参考图片

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FS75R07W2E3_B11A

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库存:1,024(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥455.9663
455.9663
5
¥445.7511
2228.7555
10
¥428.383
4283.83
25
¥414.5518
10363.795
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
95 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
275 W
封装 / 箱体
EasyPack1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
系列
FS75R07W2
商标
Infineon Technologies
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
15
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R07W2E3B11ABOMA1 SP000865130
商品其它信息
优势价格,FS75R07W2E3_B11A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:5156
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
1:¥6.9947
10:¥5.8082
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.5312
参考库存:8843
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥4.2262
10:¥3.1075
100:¥1.9549
500:¥1.5707
3,000:¥1.243
9,000:查看
参考库存:28860
晶体管
IGBT 模块 IGBT MODULE 1200V, 150A
1:¥1,407.5506
5:¥1,373.6732
10:¥1,339.5472
25:¥1,320.8005
参考库存:1497
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥751.111
10:¥689.2548
25:¥618.562
50:¥547.8692
参考库存:1394
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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