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晶体管
DMN67D7L-7参考图片

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DMN67D7L-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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库存:53,211(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.8419
1.8419
10
¥1.2882
12.882
100
¥0.53788
53.788
1,000
¥0.36838
368.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
210 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
821 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
570 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.6 ns
典型接通延迟时间
2.8 ns
商品其它信息
优势价格,DMN67D7L-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC Qg
1:¥4.6895
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.034
4,000:¥2.034
参考库存:35613
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Big Chip SELine
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
参考库存:10265
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -20Vceo
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,500:¥1.5029
参考库存:9227
晶体管
MOSFET MOSFET, Dual, N-Ch Trench, 30V, 20A
1:¥4.9155
10:¥4.2262
100:¥3.1414
500:¥2.3052
5,000:¥1.4803
10,000:查看
参考库存:25484
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
1:¥22.1254
10:¥18.7467
100:¥14.9838
500:¥13.1419
参考库存:2991
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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