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晶体管

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TTC012(Q)

  • Toshiba
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN PWR Amp Trans 2A IC 3A ICP 800V
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数量单价合计
1
¥7.9891
7.9891
10
¥6.3732
63.732
100
¥4.8929
489.29
500
¥4.3279
2163.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
375 V
集电极—基极电压 VCBO
800 V
发射极 - 基极电压 VEBO
8 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
2 A
最大工作温度
+ 150 C
系列
TTC012
直流电流增益 hFE 最大值
250 at 1 mA, 5 V
封装
Bulk
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
80 at 1 mA, 5 V
Pd-功率耗散
1.1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
200
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，TTC012(Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SK545-11D-TB-E
ON Semiconductor
晶体管
JFET NCH J-FET
1:¥3.6838
10:¥2.8702
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.9379
参考库存:37626
TK22E10N1,S1X
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch PWR FET 52A 72W 100V VDSS
1:¥10.5316
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.7065
参考库存:4278
SSM6J414TU,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF
1:¥4.1471
10:¥2.7233
100:¥1.5255
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:21650
STP5NK60Z
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:13132
BFP620H7764XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.2262
10:¥3.5595
100:¥2.1696
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:12909

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    50万现货SKU

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