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晶体管
SCT50N120参考图片

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SCT50N120

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
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库存:9,316(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥269.9344
269.9344
5
¥267.0981
1335.4905
10
¥248.9616
2489.616
25
¥237.8198
5945.495
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
HiP-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
65 A
Rds On-漏源导通电阻
52 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
122 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
318 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
HiP247â?¢
封装
Tube
系列
SCT50N120
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,SCT50N120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥18.7467
10:¥15.9104
100:¥12.7577
500:¥11.1418
参考库存:5799
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Multi-Chip Trans General Purpose
1:¥3.3787
10:¥2.3617
100:¥1.08367
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.71416
参考库存:69711
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT563 DUL BRT TR
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
8,000:¥0.73789
24,000:查看
参考库存:41228
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
1:¥22.2836
10:¥18.9049
100:¥16.3624
250:¥15.594
500:¥13.9894
1,000:¥11.752
参考库存:21415
晶体管
MOSFET Power MOSFET - Linear
1:¥370.5948
2:¥360.5378
5:¥350.5486
10:¥340.5594
参考库存:1582
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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