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产品分类

晶体管
IPB180P04P4L-02参考图片

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IPB180P04P4L-02

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
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库存:21,415(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.2836
22.2836
10
¥18.9049
189.049
100
¥16.3624
1636.24
250
¥15.594
3898.5
500
¥13.9894
6994.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
220 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
119 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
146 ns
典型接通延迟时间
32 ns
零件号别名
IPB180P04P4L02ATMA1 IPB18P4P4L2XT SP000709460
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,IPB180P04P4L-02的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.5371
500:¥6.667
1,000:¥5.2545
参考库存:37913
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V NPN Low Sat
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:4680
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3
1:¥14.5205
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:5952
晶体管
MOSFET 40V 10.5A 2.9W 14mohm @ 10V
1:¥14.5205
10:¥12.0684
100:¥9.379
500:¥8.2264
1,000:¥6.8139
2,500:¥6.8139
参考库存:17064
晶体管
MOSFET N-Chan 60V 70 Amp
1:¥39.1884
10:¥32.4988
100:¥26.7358
250:¥25.8996
500:¥23.2102
参考库存:46721
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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