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晶体管
GS66516B-E01-MR参考图片

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GS66516B-E01-MR

  • GaN Systems
  • 新批次
  • MOSFET 650V, 60A E-Mode GaN
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库存:9,968(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥331.4855
331.4855
10
¥320.7279
3207.279
25
¥305.9814
7649.535
250
¥284.2289
71057.225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.54 mm
长度
11 mm
产品
MOSFET
系列
GS66516x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9 mm
商标
GaN Systems
下降时间
22 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
12.4 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.9 ns
典型接通延迟时间
4.6 ns
零件号别名
GS66516B-E01-MR
商品其它信息
优势价格,GS66516B-E01-MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.1585
500:¥5.4466
1,000:¥4.3053
2,500:¥4.3053
参考库存:19160
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 47kO SOT-323
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:21162
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:31664
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 47K
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:171666
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥9.1417
10:¥7.8422
100:¥5.9777
500:¥5.2884
800:¥4.1697
参考库存:31238
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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