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晶体管
IKW08T120FKSA1参考图片

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IKW08T120FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 8A
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数量单价合计
1
¥31.3462
31.3462
10
¥26.668
266.68
100
¥23.1311
2313.11
250
¥21.8994
5474.85
500
¥19.6733
9836.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
70 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW08T120 IKW8T12XK SP000013885
单位重量
5 g
商品其它信息
优势价格,IKW08T120FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 800V 23A N-Channel SuperFET II MOSFET
1:¥26.7358
10:¥22.6678
100:¥19.6733
250:¥18.6676
参考库存:4385
晶体管
IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
1:¥1,786.756
5:¥1,743.8047
10:¥1,700.4692
25:¥1,676.7279
参考库存:1917
晶体管
MOSFET
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
1,000:¥21.5152
2,000:查看
参考库存:3394
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.365 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥13.673
10:¥11.6842
100:¥9.2999
500:¥8.1473
3,000:¥6.2828
6,000:查看
参考库存:16046
晶体管
MOSFET 80V, N-Channel NexFET Power Mosfet
1:¥23.2102
10:¥20.8259
100:¥17.063
250:¥15.9782
500:¥14.5205
参考库存:4048
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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