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晶体管
ZTX688BSTZ参考图片

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ZTX688BSTZ

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
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数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.6557
66.557
100
¥5.1076
510.76
500
¥4.52
2260
1,000
¥3.5708
3570.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
集电极—基极电压 VCBO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.35 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX688
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
3 A
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX688BSTZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS
1:¥12.9046
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2546
1,000:¥6.0116
参考库存:8767
晶体管
MOSFET 40V,N-Ch NexFET Pwr MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1528
250:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:10604
晶体管
MOSFET 350V 15Ohm
1:¥11.6051
10:¥11.4469
25:¥9.605
100:¥8.7575
参考库存:7431
晶体管
MOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
1:¥8.7575
10:¥7.5032
100:¥5.763
500:¥5.0963
3,000:¥3.5708
9,000:查看
参考库存:12478
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:26080
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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