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晶体管
ZXTP2008ZTA参考图片

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ZXTP2008ZTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V PNP Low Sat
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库存:21,824(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
- 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
5.5 A
增益带宽产品fT
110 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTP2008
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.6 mm
商标
Diodes Incorporated
Pd-功率耗散
2100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格,ZXTP2008ZTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -45V -800mA HFE/250
1:¥2.6103
10:¥1.7741
100:¥0.73789
1,000:¥0.50737
2,000:¥0.40002
参考库存:72514
晶体管
MOSFET SO-8 P-CH -30V
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.2207
1,000:¥5.7065
2,500:¥5.7065
参考库存:21031
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.9158
500:¥9.5259
1,500:¥7.3676
4,500:查看
参考库存:1198
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥219.6042
5:¥209.7732
10:¥203.1627
25:¥186.7212
参考库存:1615
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥388.8895
5:¥375.8267
10:¥363.6114
25:¥336.2541
参考库存:1322
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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