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晶体管
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FCX1147ATA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Low Saturation
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数量单价合计
1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.5313
45.313
100
¥2.9154
291.54
1,000
¥2.3391
2339.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 12 V
集电极—基极电压 VCBO
- 15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 400 mV
最大直流电集电极电流
- 20 A
增益带宽产品fT
115 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FCX11
直流电流增益 hFE 最大值
270
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.6 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
90 at 10 A, 2 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格，FCX1147ATA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANSR2N7261U
Microsemi
晶体管
MOSFET
1:¥3,458.1051
5:¥3,410.5434
10:¥3,291.1363
25:¥3,171.8761
参考库存:33151
PTVA123501FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥3,941.1236
参考库存:33156
TSC5304EDCP ROG
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor with diode
5,000:¥2.0001
10,000:¥1.8419
25,000:¥1.7628
参考库存:33161
TSM048NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 60V 107A Single N-Chan Pwr MOSFET
5,000:¥5.2658
10,000:¥5.1528
参考库存:33166
2SB1184TLR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 3A
2,500:¥1.9436
10,000:¥1.8758
25,000:¥1.7967
50,000:¥1.7741
参考库存:33171

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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