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晶体管
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BSP298 H6327

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数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.989
598.9
500
¥5.2997
2649.85
1,000
¥4.181
4181
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
-
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
BSP298
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
500 mS
下降时间
20 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
BSP298H6327XUSA1 SP001058626
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，BSP298 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TPC8062-H,LQ(CM
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 18A 1.9W 2400pF
3,000:¥6.0907
6,000:¥5.8534
9,000:¥5.6274
参考库存:28871
TP0606N3-G-P003
Microchip Technology
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
2,000:¥3.6725
4,000:¥3.3561
10,000:¥3.2657
参考库存:28876
DDTD142TU-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.47K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:28881
FCP11N60N-F102
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET FCP11N60N, in TO220 F102 T/F option
800:¥13.1419
1,600:¥10.9158
3,200:¥10.1474
5,600:¥9.7632
参考库存:28886
DZTA42-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 300V
2,500:¥1.11418
参考库存:28891

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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