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晶体管
IHW20N135R3FKSA1参考图片

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IHW20N135R3FKSA1

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库存:2,800(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.8776
37.8776
10
¥32.1937
321.937
100
¥27.8884
2788.84
250
¥26.4307
6607.675
500
¥23.7413
11870.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1350 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
310 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW20N135R3 IHW2N135R3XK SP000909532
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IHW20N135R3FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:142883
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 320A
1:¥799.5993
5:¥784.9206
10:¥749.5742
25:¥724.6012
参考库存:3200
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V Vceo 3A Ic MPT3
1:¥3.5369
10:¥2.8928
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
2,000:¥1.1639
参考库存:21757
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4
1:¥812.0406
5:¥796.2884
10:¥770.0159
25:¥737.438
50:¥727.2906
参考库存:1974
晶体管
MOSFET LV POWER MOS
1:¥12.0684
10:¥10.2152
100:¥8.2264
500:¥7.1981
5,000:¥5.3449
10,000:查看
参考库存:6221
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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