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晶体管
HN2A01FU-Y(TE85L,F参考图片

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HN2A01FU-Y(TE85L,F

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Trans PNP x 2 US6, -50V, -0.15A
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数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥2.3278
23.278
100
¥0.99892
99.892
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
US-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.1 V
最大直流电集电极电流
150 mA
增益带宽产品fT
80 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
HN2A01
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，HN2A01FU-Y(TE85L,F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
LET9045S
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
400:¥316.4226
参考库存:35434
TSM60NB1R4CP ROG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V, 4A, 1.4OHMS N Channel Power Mosfet
15,000:¥2.825
24,375:¥2.7572
参考库存:35439
AUIRLS3036-7P
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 60V 300A 1.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
1,600:¥20.4417
2,500:¥19.436
参考库存:35444
CTLR5-06 TR13
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V 5.0Amp 420Vrms 5.0A 150Ifsm 125pF
5,000:¥2.4973
10,000:¥2.4069
25,000:¥2.3052
参考库存:83685
D3S280N65F-U
D3
晶体管
MOSFET 280 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220 FullPak
1,000:¥6.1246
2,500:¥5.7065
5,000:¥5.4918
10,000:¥5.2884
参考库存:35451

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