RN1906(T5L,F,T)详细信息_RN1906(T5L,F,T)相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
系列	RN1906
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
商标	Toshiba
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRFP3703PBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC	1:¥31.7304 10:¥26.9731 100:¥23.3571 250:¥22.2045 500:¥19.8993	参考库存:20694
HFA3046BZ	Renesas / Intersil	晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR	1:¥71.4612 10:¥64.5456 50:¥61.5511 100:¥53.4829	参考库存:10826
MJ11033G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 50A 120V Bipolar Power PNP	1:¥122.2547 10:¥112.4124 20:¥107.7342 100:¥94.8974	参考库存:6308
CSD23280F3T	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 12V P ch MOSFET	1:¥2.9945 10:¥2.0792 100:¥0.96841 250:¥0.96841 1,000:¥0.7458	参考库存:13815
SMP5484	InterFET	晶体管	PDF数据手册	JFET N-Ch JFET -25V 3.0Vgs 15Vds 5.0mA	1:¥14.5205 10:¥11.752 100:¥9.379 500:¥8.2264	参考库存:3097