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晶体管
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IKW50N65H5FKSA1

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数量单价合计
1
¥37.7307
37.7307
10
¥32.0468
320.468
100
¥27.8206
2782.06
250
¥26.3516
6587.9
500
¥23.6622
11831.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
305 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N65H5 SP001001734
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IKW50N65H5FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHP10N40D-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥11.2209
10:¥9.2999
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2SC5566-TD-E
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1,000:¥1.4577
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10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:70447

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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