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晶体管
SI4420DYTRPBF参考图片

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SI4420DYTRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 52nC
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数量单价合计
1
¥10.7576
10.7576
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.0738
707.38
500
¥6.2489
3124.45
1,000
¥4.9381
4938.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
12.5 A
Rds On-漏源导通电阻
13 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
52 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
3.9 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
29 S
下降时间
47 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SP001567504
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SI4420DYTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NCR100W-10MX
WeEn Semiconductors
晶体管
SCR Silicon Controlled Rectifier
1:¥3.1527
10:¥2.1018
100:¥0.89948
1,000:¥0.69156
2,000:¥0.52206
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Vishay / Siliconix
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10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
3,000:¥1.6159
6,000:查看
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1:¥51.4037
10:¥41.2676
25:¥40.567
100:¥37.6516
参考库存:35874
APT8075BVFRG
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1:¥177.5004
5:¥170.5057
10:¥164.1325
25:¥150.8324
参考库存:35879

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    50万现货SKU

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