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晶体管
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FCX1149ATA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Low Saturation
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库存：10,218(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.6048
5.6048
10
¥4.7234
47.234
100
¥3.0397
303.97
1,000
¥2.4408
2440.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 25 V
集电极—基极电压 VCBO
- 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 230 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
135 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FCX11
直流电流增益 hFE 最大值
270
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.6 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
270 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 150 at 3 A, 2 V, 115 at 5 A, 2 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格，FCX1149ATA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF7665S2TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 100V DIGITAL AUDIO 1 N-CH HEXFET
1:¥8.9157
10:¥7.571
100:¥5.8195
500:¥5.1415
4,800:¥3.6047
9,600:查看
参考库存:23340
BSZ165N04NS G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥5.8421
10:¥4.8816
100:¥3.1527
1,000:¥2.5199
5,000:¥2.1244
参考库存:18657
SIA533EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.6159
参考库存:10839
DN2530N8-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 300V 12Ohm
1:¥5.0737
10:¥5.0624
25:¥4.2714
100:¥3.8759
2,000:¥3.8759
参考库存:17316
IPD50N03S2L-06
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS
1:¥8.6784
10:¥7.4467
100:¥5.7178
500:¥5.0511
2,500:¥3.5369
10,000:查看
参考库存:10958

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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