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晶体管
IRFB7546PBF参考图片

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IRFB7546PBF

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库存:9,291(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.9382
69.382
100
¥5.3336
533.36
500
¥4.7121
2356.05
1,000
¥3.7177
3717.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
58 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
99 W
配置
Single
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
150 S
下降时间
34 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
51 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SP001560262
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFB7546PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
800:¥2.7007
2,400:¥2.2939
参考库存:29354
晶体管
MOSFET -20V -1.3A P-Channel
1:¥3.842
10:¥2.4521
100:¥1.05316
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:128436
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
1:¥10.2152
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.5596
1,000:¥5.2545
3,000:¥4.8703
参考库存:18313
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
1:¥241.8878
10:¥223.6835
25:¥214.6096
50:¥205.547
参考库存:2695
CEL
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
1:¥12.2153
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.1472
10,000:¥4.7121
参考库存:36837
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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