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晶体管
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PXAC182002FC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥658.5979
32929.895
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
增益
16.5 dB
输出功率
180 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PXAC182002FC-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
R6011ENJTL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥24.0464
10:¥20.4417
100:¥17.7523
250:¥16.8257
1,000:¥12.7577
2,000:查看
参考库存:8084
KSC5502DTM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Triple Diffused Planar Silicon
1:¥6.5314
10:¥5.424
100:¥3.503
1,000:¥2.8024
2,500:¥2.8024
参考库存:28476
BUK7606-75B,118
Nexperia
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:15398
TN2124K1-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 240V 15Ohm
1:¥4.9155
10:¥4.8364
25:¥4.1132
100:¥3.7177
3,000:¥2.3617
9,000:查看
参考库存:24595
IGW100N60H3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥73.5404
10:¥66.4666
25:¥63.3139
100:¥55.0197
参考库存:3437

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    50万现货SKU

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