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晶体管
BSS159N H6906参考图片

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BSS159N H6906

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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8646
38.646
100
¥2.4973
249.73
1,000
¥2.0001
2000.1
3,000
¥2.0001
6000.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
230 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BSS159
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
100 mS
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns
典型接通延迟时间
3.1 ns
零件号别名
BSS159NH6906XTSA1 BSS159NH696XT SP000702636
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS159N H6906的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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10:¥18.9049
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10:¥13.9103
100:¥11.1418
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5,000:查看
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100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
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参考库存:30929
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