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晶体管
STGIPS10C60-H参考图片

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STGIPS10C60-H

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 SLLIMM small low-loss intelligent molded module IPM, 3-phase inverter 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
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数量单价合计
1
¥85.5975
85.5975
10
¥78.6819
786.819
25
¥75.4614
1886.535
100
¥66.4666
6646.66
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
33 W
封装 / 箱体
SDIP-25
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
系列
STGIPS10C60-H
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
132
子类别
IGBTs
商标名
SLLIMM
商品其它信息
优势价格，STGIPS10C60-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC3646S-P-TD-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1A 100V
1:¥5.0737
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
2,000:¥1.8532
参考库存:30302
A2T07D160W04SR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07D160W04S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥936.4536
5:¥918.3171
10:¥887.9653
25:¥850.3928
参考库存:29874
MMRF1015GNR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1015GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
1:¥157.9062
5:¥150.9906
10:¥145.6909
25:¥127.0911
参考库存:29879
PDTD123YT,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:33344
BUK9606-40B,118
Nexperia
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8252
500:¥6.0342
800:¥4.7686
参考库存:29316

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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