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晶体管
VP0106N3-G参考图片

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VP0106N3-G

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库存:7,463(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.763
5.763
10
¥5.6952
56.952
25
¥4.8251
120.6275
100
¥4.3505
435.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
250 mA
Rds On-漏源导通电阻
8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 P-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
150 mS
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,VP0106N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-963 COMP NBRT
1:¥2.7685
10:¥1.7515
100:¥0.75258
1,000:¥0.5763
8,000:¥0.39211
24,000:查看
参考库存:84713
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trnch w/Ultra-Low VF Diode
1:¥53.6298
10:¥48.4883
25:¥46.1831
100:¥40.115
参考库存:7955
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-23
1:¥6.4523
10:¥5.198
3,000:¥5.198
参考库存:69257
晶体管
MOSFET 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC
1:¥6.2263
10:¥5.2319
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,000:¥2.7007
参考库存:73944
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥19.436
10:¥16.5206
100:¥13.221
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:5526
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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