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晶体管
DMTH4008LPSQ-13参考图片

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DMTH4008LPSQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
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数量单价合计
1
¥6.1472
6.1472
10
¥5.0511
50.511
100
¥3.2544
325.44
1,000
¥2.6103
2610.3
2,500
¥2.6103
6525.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
64.8 A
Rds On-漏源导通电阻
8.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
55.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMTH4008
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16.7 ns
典型接通延迟时间
4.3 ns
单位重量
97 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -60V 200mW
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
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1:¥11.8311
10:¥9.7632
100:¥7.458
500:¥6.4184
1,000:¥5.0624
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 120V 50MA
1:¥2.7685
10:¥2.0792
100:¥1.13
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
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MOSFET 100V 35A 83W 26mohm @ 10V
1:¥16.8257
10:¥13.9894
100:¥10.8367
500:¥9.4468
2,000:¥7.2885
4,000:查看
参考库存:11057
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH VOLTAGE &
1:¥7.3789
10:¥6.2828
100:¥4.8364
500:¥4.2714
参考库存:3079
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    50万现货SKU

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