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晶体管
DMTH4008LPSQ-13参考图片

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DMTH4008LPSQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
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数量单价合计
1
¥6.1472
6.1472
10
¥5.0511
50.511
100
¥3.2544
325.44
1,000
¥2.6103
2610.3
2,500
¥2.6103
6525.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
64.8 A
Rds On-漏源导通电阻
8.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
55.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMTH4008
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16.7 ns
典型接通延迟时间
4.3 ns
单位重量
97 mg
商品其它信息
优势价格,DMTH4008LPSQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.1642
3,000:¥5.537
6,000:查看
参考库存:14346
晶体管
IGBT 模块 LOW POWER EASY
1:¥286.003
5:¥282.9972
10:¥263.7872
25:¥251.9561
参考库存:4908
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥39.4144
10:¥33.5045
100:¥29.041
250:¥27.5833
参考库存:7040
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF4/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥10,051.0562
5:¥9,943.096
参考库存:4777
晶体管
IGBT 晶体管 Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
参考库存:9039
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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