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晶体管
IRFR3410TRLPBF参考图片

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IRFR3410TRLPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC
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数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9099
59.099
100
¥4.5313
453.13
500
¥4.0115
2005.75
1,000
¥3.164
3164
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
34 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
33 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SP001572792
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRFR3410TRLPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥39.4935
10:¥33.5836
100:¥29.1201
250:¥27.5833
参考库存:5573
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥39.1884
10:¥33.2672
100:¥28.815
250:¥27.3573
1,000:¥20.6677
2,000:查看
参考库存:11495
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTD123EQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.73789
1,000:¥0.49946
5,000:¥0.39211
参考库存:28327
晶体管
MOSFET N-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
1:¥15.7522
10:¥13.1419
100:¥10.1474
500:¥8.9157
参考库存:7204
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
1:¥12.1362
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.1981
参考库存:18261
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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