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晶体管
IPB009N03L G参考图片

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IPB009N03L G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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库存：5,670(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.5154
25.5154
10
¥21.6734
216.734
100
¥18.7467
1874.67
250
¥17.8314
4457.85
1,000
¥13.447
13447
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
227 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
180 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
103 ns
典型接通延迟时间
26 ns
零件号别名
IPB009N03LGATMA1 IPB9N3LGXT SP000394657
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，IPB009N03L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC5569-TD-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 7A 50V
1:¥4.8364
10:¥4.068
100:¥2.486
1,000:¥1.9097
2,000:¥1.6272
参考库存:20037
FDS4141
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET -40V P-Channel PowerTrench
1:¥8.6784
10:¥7.458
100:¥5.7291
500:¥5.0624
1,000:¥4.0002
2,500:¥4.0002
参考库存:159069
BCW32LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 32V NPN
1:¥1.1526
10:¥1.01474
100:¥0.3616
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.18419
参考库存:28686
DSS5160U-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VCE(SAT) PNP SMT
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:32378
DTB143ECT116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -500mA/-50V w/bias resistors
1:¥2.3052
10:¥1.5707
100:¥0.66105
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.35369
参考库存:32510

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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