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晶体管
BSZ180P03NS3 G参考图片

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BSZ180P03NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
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库存:21,450(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.1132
41.132
100
¥2.6555
265.55
1,000
¥2.1244
2124.4
5,000
¥1.7854
8927
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
39.6 A
Rds On-漏源导通电阻
13.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS P3
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ18P3NS3GXT SP000709744
商品其它信息
优势价格,BSZ180P03NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥64.1614
10:¥57.7882
25:¥52.6354
100:¥47.4826
200:¥43.6406
参考库存:32156
晶体管
MOSFET 55V, 61A, 14 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
1:¥14.5996
10:¥12.3735
100:¥9.9101
500:¥8.6784
3,000:¥6.6783
6,000:查看
参考库存:32161
晶体管
MOSFET N-Ch 200 Volt 7 Amp
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.0681
500:¥5.3675
2,500:¥3.7629
10,000:查看
参考库存:22762
晶体管
MOSFET 60V 28A 28mOhm N-Chan Pwr MOSFET
1:¥5.9212
10:¥5.2206
100:¥4.0115
500:¥2.9719
2,500:¥2.0905
5,000:查看
参考库存:32168
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT NPN 100mA
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:32173
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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