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晶体管
BSL314PEH6327XTSA1参考图片

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BSL314PEH6327XTSA1

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库存:137,689(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4691
34.691
100
¥2.1244
212.44
1,000
¥1.6385
1638.5
3,000
¥1.4012
4203.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 700 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3 mm
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
2.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns
零件号别名
BSL314PE H6327 SP001101006
单位重量
14.800 mg
商品其它信息
优势价格,BSL314PEH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIR622DP-T1-GE3
1:¥21.9785
10:¥18.2834
100:¥14.1363
500:¥12.3735
参考库存:28582
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥20.2044
10:¥18.2156
25:¥16.2946
100:¥14.6787
参考库存:28587
晶体管
MOSFET 30V N-Channel Power MOSFET
1:¥6.3732
10:¥5.6048
100:¥4.3053
500:¥3.1979
2,500:¥2.2487
5,000:查看
参考库存:28592
晶体管
MOSFET 30V, 5A, Single N-Channel Power MOSFET
1:¥3.7629
10:¥3.2318
100:¥2.3956
500:¥1.7628
2,500:¥1.2091
5,000:查看
参考库存:28597
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
1:¥579.6787
5:¥569.0793
10:¥554.3215
25:¥543.4848
参考库存:6948
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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