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晶体管
SIHF30N60E-GE3参考图片

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SIHF30N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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库存:4,735(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.3357
47.3357
10
¥39.1884
391.884
100
¥32.2728
3227.28
250
¥31.2784
7819.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
37 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
E
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHF30N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 10K
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
10,000:¥0.52997
20,000:查看
参考库存:34586
晶体管
MOSFET N Ch 900V 1.1 8A Zener SuperMESH
1:¥29.9676
10:¥25.4363
100:¥22.0576
250:¥20.905
1,000:¥15.8313
2,000:查看
参考库存:8416
晶体管
MOSFET P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
1:¥14.5996
10:¥12.4526
100:¥9.9101
500:¥8.6784
2,500:¥6.7348
5,000:查看
参考库存:16643
晶体管
MOSFET SIPMOS Sm-Signal 60V 120mOhm 2.9A
1:¥5.1528
10:¥4.3166
100:¥2.7911
1,000:¥2.2374
4,000:¥2.2374
参考库存:24145
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥12.8368
10:¥10.6785
100:¥8.2942
500:¥7.2207
1,000:¥5.9777
6,000:¥5.9777
参考库存:34597
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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